N通道
20V/8A，
Rps(ON) =12mQ(Typ.) @Ves=4.5V
RDs(ON) =16mQ(Typ.) @Vas=2.5V
P-通道
-20V/-6A，
RDs(on) =23mQ(Typ.) @Ves=-4.5V
RDs(ON) =31mQ(Typ.) @Ves=-2.5V
极低的导通电阻
快速切换
KS2644HA应用：负载开关
设计注意事项:
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驱动电路：
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N沟道MOSFET通常需门极电压高于源极（Vgs），P沟道则需低于源极，确保完全导通。
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若芯片未集成驱动，需外置门极驱动器（如TI的UCC27524），避免因驱动不足导致发热。
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防直通（Shoot-Through）：互补结构需严格控制死区时间，确保N/P通道不同时导通。
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散热设计：
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计算功耗：P_loss = I²×Rds(on) + 开关损耗（高频时显著）。
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推荐使用带散热焊盘的封装（如PowerSO-8），PCB增加铜箔面积或散热片。
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布局优化：
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功率路径短而宽，减少寄生电感。
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门极电阻靠近MOSFET放置，抑制振荡。
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