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  • 内置MOS管TP8350与TP8356升压芯片驱动大电流方案的应用

    内置MOS管TP8350与TP8356升压芯片驱动大电流方案的应用

    典型应用电路:输入电源为锂电池(3 2v&le;Vin&le;4 2v)1.驱动负载150mA&le;Io&le;500mA(1)TP8350典型应用电路锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路建议各器件参数L=47uH(内阻<0 1ohm),Cin=47uF(实际应用中可不接该电容),Diode=1N58171N58181N5
    2024-11-28

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